據外媒報導，華為將發表其與中科院微電子研究所合作開發的3D DRAM技術。(新華社)

據外媒報導，華為公司將於積體電路領域頂級會議－VLSI Symposium 2022（6月12日～17日在夏威夷舉行）上，發表其與中科院微電子研究所合作開發的3D DRAM技術，進行各種有關記憶體的演示。

報導稱，華為與中科院方面開發了基於銦鎵鋅氧（IGZO）材料的CAA（Channel-All-Around）構型電晶體，具有出色的溫度穩定性和可靠性。

除華為之外，日媒還表示，IBM、三星、英特爾、Meta、史丹佛大學、喬治亞理工學院等都將提出存儲領域的新突破。

IT之家報導支出，華為此前已在存儲領域進行深度研究，此前就表示要針對數據存儲領域關鍵技術進行突破。

據此前報導，在去年舉辦的IEDM 2021上，中科院微電子所李泠研究員團隊聯合華為／海思團隊，首次提出了新型垂直環形溝道器件結構（CAA），該結構有效減小了器件面積，且支持多層堆疊，透過將上下兩個CAA器件直接相連，每個存儲單元的尺寸可減小至4F2，使IGZO-DRAM擁有了密度優勢，有望克服傳統1T1C-DRAM的微縮挑戰。

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