「產業創新條例」第十條之二子法內容大致底定，預計近日公布。（歐新社）

財部經部今協商 預料最終版本介於60～70億元
〔記者廖家寧／台北報導〕被稱為「台版晶片法」的「產業創新條例」第十條之二，子法內容大致底定，預計近日公布。經濟部表示，與財政部達成共識，設備費用門檻落在一○○億元、研發密度（研發支出占營收淨額比率）須達六％，研發費用門檻則落在六十億至七十億元。

根據「產創條例」第十條之二規定，於我國境內進行技術創新且居國際供應鏈關鍵地位的公司，符合一定條件者，前瞻創新研究發展支出金額二十五％可抵減當年度營所稅、先進製程設備投資抵減五％，購置設備金額則無上限。

研發密度須達6％ 設備費用門檻100億
經濟部表示，考量稅收損失及大型企業購買設備有一定規模，綜合評估後與財政部達成共識，設備費用門檻應是落在一○○億元，研發密度門檻六％也達成共識。至於研發費用門檻較有歧異，財政部版本是將門檻定設在一○○億元，經濟部版本希望落在五十億元，協商結果可望落在六十億至七十億元，今天會議將最後確認，預計最快今天預告。

經濟部官員說明，結果應是會由五十億元往上調，一方面可激勵原先每年研發支出僅三十億至四十億元的廠商提高支出，因此門檻不能距離五十億元太遠，廠商要觸及門檻也較有餘裕；另外，有數家廠商基本稅率落在九％至十％，若要適用「產創條例」第十條之二的投抵優惠，至少稅率門檻得達到十二％，也有利於促使廠商擴大投資，就會多繳稅，對整體稅制也有益。

官員表示，IC設計產業呼籲政府應擘畫國家級半導體戰略，透過強化IC設計核心技術助產業全面升級，也希望研發費用門檻能夠降低一些，吸引廠商擴大投資研發的意願，加上全球各國吸引投資的力道頗強勁，台灣必須強化吸引企業投資研發的誘因。

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