記憶體產業走過整個2023年，由「去庫存」轉至「補庫存」，加上AI高速運算所需搭配高頻寬記憶體（HBM）需求大增，國際大廠包括三星、SK海力士等稼動率逐漸恢復，展望2024年，業者樂估，大廠產能擴張仍屬節制，記憶體報價將維持上漲趨勢不變。

據業界了解，2023年11～12月期間，隨PC及手機回補庫存需求帶動，SK海力士及威騰分別提升DRAM及 NAND Flash工廠稼動率。

三星及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量，也在2023年第四季恢復至2022年第四季的高峰，但稼動率雖有所提升，產品報價尚未回到成本之上。

在資本支出方面，2023年產業界出現上修消息的企業，為中國大陸的長鑫存儲及長江存儲。其中，長鑫存儲在獲得美國許可投資19nm DDR3／DDR4後，即展開積極擴產，預計2024年上半年投放合肥二期及北京二期新廠。

長江存儲則在美國制裁下，自行研發第二代128層NAND Flash製程（X2），並培植本土設備供應鏈，預計在2024年重啟擴產。

研調機構預估，2024年DRAM資本支出將和2023年相當，NAND資本支出則低於2023年約7％～9％，並未有大幅擴產現象。

截至2023年第四季，DRAM及NAND產能利用率，僅在先前高峰時的75％～80％、60％～65％，而原廠資本支出，將主要用於1b／1c nm製程擴充，以及HBM／200L 3D NAND相關需求。

業界人士指出，近期記憶體報價趨於穩定，主因季節性淡季需求減緩，交易行情冷清，但各大原廠在虧損下，漲價意圖堅決，因此，在未回到成本之上前，預期記憶體報價漲勢趨勢不變。

中國大陸手機備貨需求暢旺，TrendForce上修2024年第一季手機相關記憶體報價展望，將Mobile DRAM漲幅從原本預估的上漲8％～13％，上修至18％～23％，將eMMC／UFS漲幅，由原本的5％～10％，上修至18％～23％，即是一例。

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